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MDD MOS導(dǎo)通電阻對(duì)BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 MOSFET 作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（R<sub>DS(on)</sub>）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDD FAE，在支持客戶調(diào)試或可靠性驗(yàn)證過程中，經(jīng)常遇到因?qū)娮柽x型不當(dāng)導(dǎo)致效率降低、采樣偏差或誤動(dòng)作的問題。

2025-11-12 783 關(guān)鍵詞： MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET 導(dǎo)通電阻 R<sub>DS(on)</sub> 電池管理系統(tǒng)BMS 系統(tǒng)性能影響設(shè)計(jì)建議
硬之城榮獲國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)稱號(hào)，創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)一站式PCBA智造服務(wù)

硬之城憑借其在電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈與PCBA智造服務(wù)領(lǐng)域的專業(yè)化、精細(xì)化、特色化和新穎化優(yōu)勢(shì)，成功入選國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單。

2025-11-12 905 關(guān)鍵詞：專精特新小巨人硬之城 PCBA一站式智造電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈行業(yè)賦能
HTA8681內(nèi)置自適應(yīng)升壓和防破音功能的11W D類及AB類音頻功率放大器

HTA8681是一款內(nèi)置自適應(yīng)升壓的單聲道D類音頻功率放大器，由鋰電池供電時(shí) ，THD+N=10%、1kHz信號(hào)條件下，能連續(xù)輸出11W功率（3Ω負(fù)載）；另外，其還支持AB類模式。 HTA8681內(nèi)置的升壓，提供8.5V最大輸出電壓。其小音樂信號(hào)時(shí)不升壓，僅當(dāng)功率較大時(shí)，提供升壓后的電壓給D類功放，其可大幅提高系統(tǒng)效率，延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。 HTA8681的最大特點(diǎn)是防削頂失真（ACF）輸出控制功能，可檢測(cè)并抑制由于輸入音樂、語音信號(hào)幅度過大所引起的輸出信號(hào)削頂失真（破音），也能自適應(yīng)地防止在BOOST升壓電壓下降所造成的輸出削頂，顯著提高音質(zhì)，創(chuàng)造非常舒適的聽音享受，并保護(hù)揚(yáng)聲器免受過載損壞。HTA8681還提供ACF-Off 模式。

2025-11-11 671 關(guān)鍵詞： HTA8681 音頻功率放大器防破音功能自適應(yīng)升壓 AB/D類切換
NS2162 單節(jié)鋰電池充電管理芯片

NS2162 是一款降壓轉(zhuǎn)換單節(jié)鋰電池充電管理芯片，具有充電狀態(tài)指示和溫度檢測(cè)等多重功能。能夠夠?yàn)楸銛y式鋰電池充電提供完整的解決方案。芯片轉(zhuǎn)換器工作頻率為 1MHz，能夠支持低成本的電感和電容并有效的減小 PCB 尺寸，降低方案的成本。 NS2162 采用涓流/恒流/恒壓三段式充電模式且支持 0V 電池充電激活。充電時(shí)輸入電流最大可以達(dá)到2.1A，輸入還內(nèi)置有 4.6VIN_DPM 閾值，以最大程度上提高芯片的可靠性和方案的安全性。 NS2162 采用 ESOP8 的標(biāo)準(zhǔn)封裝。

2025-11-11 620 關(guān)鍵詞： NS2162 單節(jié)鋰電池充電管理芯片三段式充電內(nèi)置DPM功能應(yīng)用范圍
車規(guī)級(jí)vs工業(yè)級(jí)元器件：核心差異與選型邏輯深度解析

隨著汽車智能化ADAS、自動(dòng)駕駛與工業(yè)自動(dòng)化機(jī)器人、PLC控制的快速普及，電子元器件的等級(jí)之分逐漸成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心考量。車規(guī)級(jí)與工業(yè)級(jí)元器件看似都是高可靠的代表，但實(shí)際上在標(biāo)準(zhǔn)、環(huán)境適應(yīng)力、壽命等維度存在本質(zhì)差異。今天我們從技術(shù)底層與應(yīng)用場(chǎng)景出發(fā)，用科普的方式講透二者的核心區(qū)別，幫你理清選型的底層邏輯。

2025-11-10 1107 關(guān)鍵詞：車規(guī)級(jí)元器件工業(yè)級(jí)元器件標(biāo)準(zhǔn)差異應(yīng)用場(chǎng)景選型邏輯
重磅喜訊！長(zhǎng)江連接器榮膺2025年國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)稱號(hào)

近日，工業(yè)和信息化部正式公布2025年國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)認(rèn)定名單，長(zhǎng)江連接器憑借在連接器細(xì)分領(lǐng)域的深耕積淀、硬核創(chuàng)新實(shí)力與領(lǐng)先市場(chǎng)地位，成功斬獲此項(xiàng)國(guó)家級(jí)榮譽(yù)，躋身全國(guó)中小企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展標(biāo)桿梯隊(duì)。

2025-11-06 1589 關(guān)鍵詞：長(zhǎng)江連接器專精特新“小巨人”企業(yè) 連接器細(xì)分市場(chǎng) 自主創(chuàng)新體系產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同配套
合科泰SOT-23封裝MOS管：手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)高效率、小空間、低成本的平衡方案

合科泰SOT-23封裝MOS管系列為手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供了完整的解決方案，通過優(yōu)化的電氣性能、簡(jiǎn)化的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和優(yōu)異的可靠性，有效解決了當(dāng)前手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)面臨的效率、成本和空間挑戰(zhàn)。這些產(chǎn)品不僅滿足了現(xiàn)有應(yīng)用需求，更為未來更大屏幕、更高亮度的手機(jī)顯示技術(shù)發(fā)展提供了可靠的技術(shù)支持。

2025-11-06 1580 關(guān)鍵詞：手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)電路合科泰MOS管 SOT - 23封裝驅(qū)動(dòng)應(yīng)用可靠性驗(yàn)證
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于NXP產(chǎn)品的AI膠囊咖啡機(jī)方案

大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于NXP（恩智浦）MCX N947 MCU的AI膠囊咖啡機(jī)方案。

2025-11-05 1023 關(guān)鍵詞：大聯(lián)大世平 AI膠囊咖啡機(jī)方案 NXP MCX N947 MCU AI咖啡膠囊識(shí)別
合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65：為工業(yè)電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)注入高可靠性

在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國(guó)產(chǎn)功率器件新選擇。

2025-11-05 1078 關(guān)鍵詞：合科泰HKTD7N65 高壓MOS管 SGT工藝工業(yè)應(yīng)用國(guó)產(chǎn)替代
不只是價(jià)簽：選擇 MOS 管時(shí)，如何規(guī)避隱藏的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)？

在元器件選型與采購的決策過程中，許多團(tuán)隊(duì)往往將“單價(jià)”視為首要考量指標(biāo)。然而，一顆不起眼的MOS管，其背后所關(guān)聯(lián)的遠(yuǎn)不止是采購成本，更關(guān)乎整個(gè)產(chǎn)品的可靠性、壽命與品牌聲譽(yù)。忽視隱藏的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)，可能最終付出遠(yuǎn)超預(yù)期的代價(jià)。

2025-11-04 839 關(guān)鍵詞： MOS管采購 MOS管質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避合科泰 MOS管工藝與質(zhì)量