联发科中端芯片单核性能弱，凸显技术劣势，或助力高通重夺优势

今年可谓联发科高张之年，自2020年在全球手机芯片市场击败高通之后，它的最大遗憾就剩下高端市场了，然而高通这两年的高端芯片都存在功耗问题，由此为联发科提供了机会，而联发科也以自己芯片的出色性能和功耗成功在高端市场突围，如今联发科希望在中端芯片市场再压高通一头。

在中端芯片市场，联发科以天玑8000对高通的神U骁龙870，天玑8000采用了ARM性能更强的A78核心，工艺为台积电的5纳米；骁龙870则采用了ARM更旧的A77核心，工艺为台积电更旧的7纳米。

在诸多优势之下，天玑8000理应超越高通的骁龙870才是，然而现实让人错愕，从Geekbench5的测试数据可以看到骁龙870的单核性能达到998分，天玑8000的单核性能只有928分；当然联发科的天玑8000在多核性能方面肯定远超骁龙870。

联发科过于重视多核性能，可能在于它希望在跑分方面取得优势，毕竟多核性能一直都是联发科的强项，然而如今业界都认为多核性能对于手机来说不是太重要，而单核性能更重要，似乎联发科再次上演跑分没输过、体验没赢过。

这也显示出高通在核心调校方面，技术稍胜联发科一筹，在落后的高性能核心和工艺之下，骁龙870竟然有如此出色的表现，如此随着高通回归台积电，联发科在高端芯片市场暂时取得的优势将成为泡影。

高通连续两代高端芯片都出现发热问题，业界普遍认为是因为三星的5nm以及改良版的4nm工艺不过关所致，早前台媒digitimes分析了Intel、台积电、三星的工艺，以晶体管密度为参数，发现Intel的7nm工艺与台积电的5nm、三星的3nm工艺接近，显示出三家芯片制造企业在先进工艺方面的技术差异。

如此业界对于台积电生产的骁龙8G1＋更为期待，骁龙8G1＋和天玑9000采用同样的核心架构，采用同样的台积电4纳米工艺，在高通更强的调校技术之下，CPU性能或将反超天玑9000；事实上此前由三星生产的骁龙8G1虽然功耗不太理想，但是在跑分方面也没输给天玑9000太多，证明高通在技术方面确实有一些优势。

高通的另一大优势是它的自主研发的GPU，它的Adreno GPU性能居于安卓阵营之首，其他安卓芯片企业包括联发科都采用ARM的Mali公版核心，在GPU性能方面确实比高通弱不少，依靠更强的自主GPU和基带技术，高通或能由此翻身挽回脸面。

其实这也是安卓芯片的悲哀吧，如今的安卓芯片都类似于组装芯片企业，它们的CPU都采用ARM的公版核心，在性能方面已很难做出差异，决定性能的关键在于是否采用台积电的先进工艺，失去话语权的安卓芯片日益沦落。

中国手机企业对于高通和联发科其实也是左右摇摆，它们不希望任何一家取得绝对优势，因此在2021年Q2之前主要支持联发科，推动联发科在全球手机芯片市场占有的市场份额曾提升至43％，但是到了去年Q4中国手机又稍微偏向高通，于是高通的市场份额回升至三成以上、联发科的市场份额则徒然降至33％。