而ASML预计在2024年或2025年会交付最新一代的High-NA极紫外光刻机EXE:5200，它能够制造2nm，甚至是1.8nm的芯片。
因为英特尔计划在2025年实现2nm芯片的量产，用的就是EXE:5200，所以很明显，EXE:5200是能够制造2nm芯片的。
至于2nm之后，EUV光刻机还行不行？能不能达到这个精度？目前不管是intel，还是ASML，或者是台积电、三星，目前都没有太多规划，因为还离得太远了，很多技术还没法落实，自然就不会对外公开什么。
不过近日，有一家美国企业，或许给大家提供了另外一个思路，那就是2nm之后，不一定非得用EUV光刻机，另外一套光刻系统，也一样可以实现的，那就是EBL电子束光刻机。
按照媒体的报道称，美国公司Zyvex使用电子束光刻技术制造了768皮米，也就是0.7nm的芯片。
所谓的电子束光刻机，就是利用能量非常低的电子来进行光刻，其精度远比EUV光刻机更高，所以制造出了768皮米的芯片。
Zyvex还表示称，这样的光刻机已经可以商用了，只需要6个月就可以交货，估计接下来一定会有众多的厂商找它订货。
不过中国大陆注定是买不到的，EUV光刻机都买不到，更先进的当然就更加买不到了，这个原因不用我多说。
另外值得注意的是，目前Zyvex的这种电子束光刻机有一个大缺点，那就是产量很低，无法大规模制造芯片，不过未来这种技术会不会得到改进，从而能够大规模制造芯片，就不得而知了。
反正现在该紧张的是ASML了，目前ASML靠独一无二的EUV光刻机，卡住全球晶圆厂的脖子，一旦大家不依赖EUV光刻机了，ASML该怎么办？
