美日荷刚联手，中企就有三项突破！外媒：太快了

近日消息显示，美方拉拢日、荷共同实施限制，似乎取得了新的进展。据ASML方面确认，已经达成了一定协议，将会限制先进半导体设备出口，尤其是DUV光刻机。

之前是限制EUV光刻机，如今又想限制DUV光刻机，目的就是限制我们的高端芯片制造发展，以阻挠我们高科技发展。但似乎并没有达到目的，我们一直在不断突破！

就比如华为，受到的限制够厉害吧，美方连续实施了四轮以上的制裁，让英特尔、高通等断供高端芯片，让台积电停止代工芯片，还让谷歌断供安卓系统和GMS服务。

即使这样，华为也没有倒下，还在继续前进，并且渡过了难关，已经开始转危为安。

最困难的手机业务也挺了过来，去年在国内市场还拿下了7.9%的市场份额，不得已分离出去的荣耀还是唯一实现增长的品牌，可见华为系实力，如果不是限制会多厉害。

再比如中芯国际，自从成立以来，似乎就一直伴随着西方的限制，因为他们就不想我们发展高端芯片制造，即使这样也做到了全球第五，拥有了14nm、7nm制程实力。

如果不是2018年订购的EUV被限制出货，恐怕中芯国际将会全球第三家量产7nm。

如今，美方又不断加码限制，之前限制10nm以下，现在又限制14nm以下。于是，中芯国际把发展重点转向28nm成熟制程，争取在这个层面拿下最大的芯片需求。

这次达成的协议限制DUV，可能会影响中芯国际的扩产，但困难是暂时的。这只会让我们丢掉幻想，全力攻坚国产28nm光刻机，或许在压力之下，研发进展反而更快。

要知道，这么多年以来，我们哪项重点突破，不是在西方全面封锁的环境下，国人奋发进取取得突破的，像盾钩机、北斗卫星、国际空间站等，多么艰难都实现突破了。

西方的封锁限制长远来看对我们就是机会，如今美日荷刚联手，中企就有三项突破！

第一，3nm光子芯片技术突破。近日有消息显示，我国中科院在光子芯片方面获得重大进展，就是3nm光子芯片晶体管技术取得突破，有助于实现3nm光子芯片量产。

据说，北京中科芯通去年就在筹建一条光子芯片生产线，预计今年将能够实现量产。

光子芯片虽然跟电子芯片不同，但能够满足通信、数据中心等多个领域的需求。而电子芯片虽然是目前主流，但已经发展到极限，光子芯片是未来的芯片发展方向之一。

第二，OLED关键材料国产化。之前我们是“缺芯少屏”，后来在京东方等中企的努力下，国产屏幕不断实现突破，LCD出货量已经拿下全球第一，OLED也正在追赶。

三星在手机OLED屏上领先，LG在OLED大屏上领先，京东方在手机OLED屏上仅次于三星，但关键材料还受制于人。近日，国产厂商打破日本垄断，实现了国产突破。

寰采星科技成功量产OLED面板所需要的关键材料FMM，将助力国产OLED屏发展。

第三， 5G小基站实现国产化。近年来，三大运营商不只在运营通信业务，也纷纷投入研发。中国电信近日正式宣布消息，5G扩展型小基站国产化pRRU已研发成功。

重点是，该5G小基站的芯片和器件国产化率达到100%，完全实现了产品国产化。

不仅如此，前段时间日媒发布消息，对华为5G小型基站进行拆解发现，国产器件占比进一步提高 ，美企零部件占比已降到了1%。可想而知，限制最后是谁的企业受损。

以上三项突破，似乎并没有引起多少关注，但都非常重要。要知道，整体半导体突破就是由每个小的突破不断积累而成的，所以不必担心限制，越限制我们突破就越多。

光刻机虽然非常复杂、技术非常先进，但它也是人造的，连ASML总裁都表示物理定律全球都是一样的，只要我们集中全力去攻坚，相信国产光刻机一定会尽快突破！

对于美日荷刚协议联手，中企就宣布三项国产突破。有外媒直接表示：这太快了！