中国半导体自主之路仍然漫长

近年来，由于中美贸易战及科技战的持续，中国大陆正在倾全国之力发展自主半导体产业，但是在光刻机等关键的半导体设备上，仍严重的受制于人，自主之路仍然困难重重。

以半导体制造所必须的光刻机来说，目前主要分为DUV 和EUV 光刻机。DUV 一般用于7nm及以上制程的芯片生产，而EUV 则主要用于7nm及以下尖端制程芯片的生产。目前全球生产EUV光刻机的厂商也只有荷兰的艾司摩尔(ASML) 一家。

想生产7 nm以下先进制程芯片，就必须有ASML 的EUV光刻机。目前，由于美国方面的阻挠，中国大陆企业仍无法购买EUV光刻机。

资料显示，在半导体制造过程中成本占比比最高的设备，分别是光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备和过程检测设备，这四类设备约占所有生产线设备成本的74%。其中，光刻机比重约21%、薄膜沉积类设备占比22%、刻蚀设备占比20%、过程检测设备占比11%。目前这4类设备，中国大陆国产化比例都相对较低，其中光刻设备低于1%，过程检测设备约2%，刻蚀类设备约7%，薄膜沉积类设备约8%。

除了晶片制造设备，还有更重要的材料部分，现阶段大陆也相当依赖国外进口。以中芯国际最新14nm制程来说，部分材料甚至100% 依赖进口，以ArF光刻胶为例，国内目前几乎都依赖于进口，而EUV光刻胶更是没有突破。

报导强调，即便中国厂商能拿到先进制程设备材料，但最后是否成功的关键，还是取决于芯片制造技术。并不是有设备、材料就一定顺利进入7nm以下先进制程。如果只有设备材料就能跨过门槛，那么格罗方德、联电等厂商早就追上台积电，但最后还是放弃，可见越尖端先进制程芯片制造技术门槛也越高，同时良率的提升也越困难。